TADF材料中系间窜越与逆系间窜越过程的新描述符

TADF材料中系间窜越与逆系间窜越过程的新描述符

分会

第二十三分会:电子结构理论及其应用

摘要

系间窜越(Intersystem Crossing, ISC)与逆系间窜越(Reverse Intersystem Crossing, rISC)过程在有机热活化延迟荧光(Thermally Activated Delayed fluorescence ,TADF)材料的发光过程中是两个极为重要的步骤,它们直接决定了TADF现象是否发生。根据能隙定理,为了实现高效TADF发光,很多工作致力于无限减小单-三线态劈裂能。但事实发现即使将能隙减小到零,有些TADF过程依然不会发生。是什么原因导致能隙定理不再起作用?重整能对ISC和rISC过程又起了怎样的影响?在本工作中,第一次深入探讨了ISC/rISC速率与光物理基本原理中能隙(E)、自旋-轨道耦合()以及重整能()的关系。我们用了11种不同的发光化合物作为例子,通过热振动关联函数(Thermal Vibration Correlation Function, TVCF)速率理论来定量研究了ISC/rISC速率与这些物理参数的依赖关系。我们强调,在分子设计中,单重态与三重态之间的能隙(E) 并不是唯一的决定性因素。而根据阿伦尼乌斯方程或者马库斯理论得到的,与E和都有关系的,将初末振动态一并纳入考虑的活化能(G),才是ISC/rISC过程的最佳描述符。

关键词

热活化延迟荧光

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吴蓥男 深圳大学材料学院、王辛元 香港科技大学 共2人点赞了这篇线上墙报。

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